Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FDB13AN06A0
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 6
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FDB13AN06A0
FDB13AN06A0 Hakkında
FDB13AN06A0, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET transistördür. 60V drain-source gerilim (Vdss) ve 62A sürekli dren akımı kapasitesi ile güç uygulamalarında kullanılır. 13.5mΩ maksimum on-direnci (Rds On) ile düşük enerji kaybı sağlar. TO-263-3 (D²Pak) yüzey montajlı pakette sunulmaktadır. -55°C ile 175°C arasında çalışır ve maksimum 115W güç dağıtabilir. Motor kontrol, AC/DC konvertörler, şarj devreleri ve anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 10.9A (Ta), 62A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 29 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1350 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 115W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 13.5mOhm @ 62A, 10V |
| Supplier Device Package | D2PAK (TO-263) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok