Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

FDB13AN06A0

MOSFET N-CH 60V 10.9A/62A D2PAK

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-263-3
Seri / Aile Numarası
FDB13AN06A0

FDB13AN06A0 Hakkında

FDB13AN06A0, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 60V drain-source voltaj ve 62A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahiptir. Maksimum 13.5mOhm on-resistance değeri ile düşük güç kaybında çalışır. D²PAK (TO-263) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, güç yönetimi uygulamalarında, motor kontrol devrelerinde, anahtarlama uygulamalarında ve DC-DC dönüştürücülerde yaygın olarak kullanılır. -55°C ile 175°C arasında çalışabilen geniş sıcaklık aralığı sayesinde endüstriyel ve otomotiv uygulamaları için uygundur. 115W maksimum güç dağılımı kapasitesi, yüksek akım uygulamalarında güvenilir performans sağlar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 10.9A (Ta), 62A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1350 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 115W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 13.5mOhm @ 62A, 10V
Supplier Device Package D²PAK (TO-263)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok