Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FDB12N50UTM_WS
MOSFET N-CH 500V 10A D2PAK
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FDB12N50UT
FDB12N50UTM_WS Hakkında
FDB12N50UTM_WS, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 500V drain-source gerilimi ve 10A sürekli drenaj akımı ile yüksek gerilim uygulamalarında kullanılır. D²PAK (TO-263-3) yüzey montaj paketi ile kompakt tasarımlara uyum sağlar. 800mΩ maksimum RDS(on) değeri ile enerji verimliliği sunar. Güç kaynakları, motor sürücüleri, anahtarlama devreleri ve AC/DC konvertörleri gibi uygulamalarda tercih edilir. -55°C ile 150°C arasında çalışır ve 165W maksimum güç üretime yeterlidir. Gate charge 30nC ile hızlı anahtarlamaya müsaittir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 10A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 500 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 30 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1395 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 165W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 800mOhm @ 5A, 10V |
| Supplier Device Package | D²PAK (TO-263) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok