Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FDB12N50TM
MOSFET N-CH 500V 11.5A D2PAK
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FDB12N50TM
FDB12N50TM Hakkında
FDB12N50TM, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 500V drain-source gerilimi ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılmaya uygun tasarlanmıştır. 11.5A sürekli drain akımı kapasitesi ile güç uygulamalarında etkin çalışır. TO-263-3 (D²Pak) yüzey montajlı paket formatında sunulmaktadır. 10V kapı geriliminde 650mOhm maksimum RDS(on) değeri ile iletim kayıplarını minimumda tutabilir. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığına sahiptir. Anahtarlama güç kaynakları, motor kontrol devreleri, endüstriyel SMPS (Switched Mode Power Supply) ve yüksek voltaj anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. 165W maksimum güç dağıtımı kapasitesi ile ısıl tasarımı belirleyen uygulamalarda kullanılabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 11.5A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 500 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 30 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1315 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 165W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 650mOhm @ 6A, 10V |
| Supplier Device Package | D²PAK (TO-263) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok