Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FDB12N50FTM-WS
MOSFET N-CH 500V 11.5A D2PAK
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FDB12N50FTM
FDB12N50FTM-WS Hakkında
FDB12N50FTM-WS, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 500V Drain-Source gerilimi ve 11.5A sürekli dren akımı ile tasarlanmıştır. 10V gate sürüş geriliminde 700mOhm maksimum RDS(on) değerine sahiptir. D²Pak (TO-263) yüzey montajlı pakette sunulan bu bileşen, güç anahtarlama uygulamalarında, inverter devreleri, motor sürücüleri ve anahtarlamak güç kaynakları gibi endüstriyel elektronik sistemlerde kullanılır. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir ve maksimum 165W güç tüketebilir. 30nC gate yükü ve 1395pF giriş kapasitanslı özellikleri ile hızlı anahtarlama gerektiren uygulamalara uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 11.5A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 500 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 30 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1395 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Last Time Buy |
| Power Dissipation (Max) | 165W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 700mOhm @ 6A, 10V |
| Supplier Device Package | D²PAK (TO-263) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok