Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FDB110N15A
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 9
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FDB110N15A
FDB110N15A Hakkında
FDB110N15A, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET güç transistörüdür. 150V drain-source voltaj ve 92A sürekli drain akımı kapasitesi ile yüksek güç uygulamalarında kullanılır. TO-263 (D²PAK) paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama devreleri, motor kontrolü, güç kaynakları ve DC-DC dönüştürücülerde yaygın olarak yer alır. 11mΩ maksimum Rds(on) değeri ile düşük kayıp özelliği gösterir. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığında stabil performans sağlar ve 234W maksimum güç dağıtabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 92A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 150 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 61 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4510 pF @ 75 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 234W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11mOhm @ 92A, 10V |
| Supplier Device Package | D²PAK (TO-263) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok