Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

FDB088N08

MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-263-3
Seri / Aile Numarası
FDB088N08

FDB088N08 Hakkında

FDB088N08, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 75V drain-source voltajı ve 120A sürekli drenaj akımı kapasitesiyle güç uygulamalarında kullanılır. 10mOhm'un altında düşük on-state direnci (Rds On: 8.8mOhm @ 75A, 10V) ile enerji verimliliği sağlar. D²PAK (TO-263) yüzey montajlı paketinde sunulan bu transistör, motor sürücüleri, anahtarlama güç kaynakları, DC-DC dönüştürücüler ve endüstriyel kontrol sistemlerinde yaygın olarak uygulanır. -55°C ile 175°C arasında çalışabilen kompakt tasarımıyla, yüksek yoğunluklu PCB'lere monte edilmeye uygundur.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 120A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 75 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 118 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 6595 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 160W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8.8mOhm @ 75A, 10V
Supplier Device Package D²PAK (TO-263)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok