Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FDB082N15A
MOSFET N-CH 150V 117A D2PAK
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FDB082N15A
FDB082N15A Hakkında
FDB082N15A, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 150V drain-source gerilimi ve 117A sürekli drain akımı ile yüksek güç uygulamalarında kullanılır. TO-263-3 (D²PAK) SMD paketinde sunulan bu bileşen, 8.2mOhm tipik on-state direnci sayesinde düşük ısıl kayıplar sağlar. Gate charge değeri 84nC olup 10V sürüş geriliminde çalışır. -55°C ile 175°C arası çalışma sıcaklık aralığında stabil performans gösterir. Güç dönüştürme, motor sürücüleri, DC-DC konvertörleri ve endüstriyel anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. Maksimum 294W güç kaybına dayanabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 117A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 150 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 84 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 6040 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 294W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.2mOhm @ 75A, 10V |
| Supplier Device Package | D²PAK (TO-263) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok