Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FDB070AN06A0
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FDB070AN06A0
FDB070AN06A0 Hakkında
FDB070AN06A0, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel güç MOSFET'idir. 60V Drain-Source gerilimi ve 80A sürekli drenaj akımı kapasitesiyle yüksek akım uygulamalarında kullanılan bir yarı iletken elementidir. TO-263 (D²Pak) paketinde sunulan bu transistör, 7mΩ maksimum Rds(On) değeriyle düşük iletim kaybı sağlar. -55°C ile 175°C arasında çalışabilir ve 175W güç yayabilme kapasitesine sahiptir. Gate charge değeri 66nC olup, ±20V Gate-Source gerilimi tolere eder. Anahtarlama devreleri, DC-DC konvertörleri, motor kontrol, güç kaynakları ve güç dönüştürücü uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 15A (Ta), 80A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 66 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3000 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 175W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7mOhm @ 80A, 10V |
| Supplier Device Package | D2PAK (TO-263) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok