Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

FDB070AN06A0-F085

MOSFET N-CH 60V 15A TO263AB

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-263-3
Seri / Aile Numarası
FDB070AN06A0

FDB070AN06A0-F085 Hakkında

FDB070AN06A0-F085, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 60V drain-source gerilim kapasitesi ve 15A sürekli drenaj akımı özellikleri ile orta güç uygulamalarında kullanılır. 7mΩ (10V, 80A koşullarında) düşük RDS(on) değeri sayesinde enerji kaybını minimize eder. TO-263AB (D²Pak) yüzey montaj paketlemesiyle kompakt tasarımlar için uygundur. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sunar. Endüstriyel uygulamalar, anahtarlama güç kaynakları, motor kontrolü ve DC-DC dönüştürücülerde yaygın olarak tercih edilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 15A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 3000 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 175W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7mOhm @ 80A, 10V
Supplier Device Package D²PAK (TO-263)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok