Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

FDB0630N1507L

MOSFET N-CH 150V 130A TO263-7

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-263-8
Seri / Aile Numarası
FDB0630N1507L

FDB0630N1507L Hakkında

FDB0630N1507L, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 150V drain-source gerilimi ve 130A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile güç uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. TO-263-7 (D²Pak) paketinde sunulan bu bileşen, düşük on-resistance değeri (6.4mΩ @ 18A, 10V) sayesinde anahtarlama devrelerinde ve güç dönüştürücülerinde enerji kaybını minimize eder. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen geniş sıcaklık aralığı ve 300W (Tc) maksimum güç dağılımı kapasitesi, endüstriyel motor kontrol, invörter, şarj cihazları ve DC-DC dönüştürücü uygulamalarında kullanıma uygundur. 4V kapı eşik gerilimi ve hızlı anahtarlama özelliği ile kompakt ve verimli tasarımlar sağlar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 130A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 150 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 135 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 9895 pF @ 75 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 3.8W (Ta), 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6.4mOhm @ 18A, 10V
Supplier Device Package TO-263-7
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok