Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FDB050AN06A0
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FDB050AN06A0
FDB050AN06A0 Hakkında
FDB050AN06A0, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel power MOSFET transistördür. 60V drain-source voltaj (Vdss) ve 80A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile yüksek akım uygulamalarında kullanılır. 5mΩ maksimum on-direnci (RDS(on)) sayesinde düşük güç kaybı sağlar. D²Pak (TO-263) yüzey montajlı paketinde sunulan bu bileşen, güç yönetimi, motor kontrol, anahtarlama devreleri ve DC-DC konvertör uygulamalarında yaygın olarak kullanılmaktadır. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığında 245W güç dağıtabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 18A (Ta), 80A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 80 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3900 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 245W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5mOhm @ 80A, 10V |
| Supplier Device Package | D²PAK (TO-263) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok