Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FDB045AN08A0
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FDB045AN08A0
FDB045AN08A0 Hakkında
FDB045AN08A0, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel power MOSFET transistörüdür. 75V drain-source gerilimi ve 90A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile yüksek güç uygulamalarında kullanılır. 4.5mΩ on-state direnci sayesinde düşük enerji kaybı sağlar. TO-263 (D²Pak) surface mount paketinde sunulur. -55°C ile 175°C arasında çalışabilen bu bileşen, motor kontrolü, DC-DC dönüştürücüler, güç kaynakları ve endüstriyel anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak tercih edilmektedir. Maksimum 310W güç atabilir ve ±20V gate geriliminde çalışır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 19A (Ta), 90A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 75 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 138 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 6600 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 310W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.5mOhm @ 80A, 10V |
| Supplier Device Package | D2PAK (TO-263) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok