Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FDB045AN08A0-F085
MOSFET N-CH 75V 19A TO263AB
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FDB045AN08A0
FDB045AN08A0-F085 Hakkında
FDB045AN08A0-F085, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 75V drain-source gerilim (Vdss) ve 19A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile orta güç uygulamalarında kullanılır. 4.5mOhm (10V, 80A) on-state direnci sayesinde düşük güç kaybı sağlar. TO-263AB (D²Pak) SMD paketinde sunulan bu komponentin gate charge değeri 138nC olup, yüksek hızlı anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. -55°C ile 175°C arasında çalışabilir ve maksimum 310W güç tüketebilir. Güç kaynakları, motor kontrolü, DC-DC dönüştürücüler ve anahtarlama devreleri gibi uygulamalarda yaygın olarak kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 19A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 75 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 138 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 6600 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 310W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.5mOhm @ 80A, 10V |
| Supplier Device Package | D²PAK (TO-263) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok