Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FDB039N06
MOSFET N-CH 60V 120A TO263
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FDB039N
FDB039N06 Hakkında
FDB039N06, onsemi tarafından üretilen 60V/120A kapasiteli N-Channel MOSFET transistördür. TO-263 (D²Pak) SMD paketinde sunulan bu bileşen, yüksek akım uygulamalarında anahtarlama işlevi gerçekleştirir. 3.9mOhm maksimum Rds(on) değeri ile düşük dirençli iletim sağlar. 231W maksimum güç tüketimine dayanabilir ve -55°C ile +175°C arası çalışma sıcaklığına uyar. Motor kontrolü, güç kaynakları, DC-DC konvertörler ve endüstriyel anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. 10V gate sürüş voltajında optimize edilmiştir. Ürün hali hazırda üretilmemekte olup, mevcut stoklar ile tedarik edilmektedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 120A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 133 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 8235 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 231W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.9mOhm @ 75A, 10V |
| Supplier Device Package | D²PAK (TO-263) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok