Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FDB035N10A
MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FDB035N10A
FDB035N10A Hakkında
FDB035N10A, onsemi tarafından üretilen N-channel MOSFET transistörüdür. 100V drain-source voltaj, 120A sürekli dren akımı ve 3.5mOhm on-state direnç ile güç uygulamalarında kullanılır. D²Pak (TO-263-3) paket türü ile yüksek güç disipasyonu (333W) sağlar. Gate charge 116nC olup hızlı anahtarlama özellikleri vardır. Motor sürücüleri, güç dönüştürücüler, invertörler ve yüksek akımlu anahtarlama devreleri gibi uygulamalarda tercih edilir. -55°C ile 175°C arası çalışma sıcaklığında kullanılabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 120A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 116 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 7295 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 333W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.5mOhm @ 75A, 10V |
| Supplier Device Package | D²PAK (TO-263) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok