Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FDB0300N1007L
MOSFET N-CH 100V 200A TO263-7
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-263-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FDB0300N1007L
FDB0300N1007L Hakkında
FDB0300N1007L, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 100V drain-source gerilimi ve 200A sürekli drain akımı ile güç uygulamalarında kullanılan yüksek akım kapasiteli bir bileşendir. 3mOhm'luk düşük on-direnç değeri ile enerji verimliliği sağlar. TO-263-7 (D²Pak) paketinde sunulan bu transistör, anahtarlama devreleri, motor sürücüleri, güç kaynakları ve DC/DC dönüştürücüleri gibi uygulamalarda yaygın olarak kullanılır. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığına sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 200A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 113 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 8295 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab) |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 3.8W (Ta), 250W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3mOhm @ 26A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-263-7 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok