Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FDB029N06
MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FDB029N06
FDB029N06 Hakkında
FDB029N06, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 60V drain-source gerilimi ve 120A sürekli drenaj akımı ile yüksek akım uygulamalarında kullanılır. D2PAK (TO-263) yüzey monte paketi ile kompakt tasarım sağlar. 3.1mOhm düşük on-resistance değeri ile güç kaybını minimize eder. Gate charge 151nC ile hızlı anahtarlama özelliği gösterir. -55°C ile 175°C arasında çalışabilir. Motor kontrol, güç kaynakları, DC-DC konvertörler ve ağır akım anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 120A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 151 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 9815 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 231W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.1mOhm @ 75A, 10V |
| Supplier Device Package | D2PAK (TO-263) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok