Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FDB029N06
MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FDB029N06
FDB029N06 Hakkında
FDB029N06, onsemi tarafından üretilen 60V 120A kapasiteli N-Channel MOSFET transistördür. D²PAK (TO-263) paketinde sunulan bu bileşen, 3.1mOhm düşük RDS(on) değeri ile yüksek akım uygulamalarında verimli çalışır. Gate charge 151nC ve threshold voltajı 4.5V'tur. -55°C ile +175°C arasında güvenli şekilde çalışan bu MOSFET, güç dönüştürücü devreleri, motor kontrol uygulamaları, solenoid sürücüleri ve enerji yönetim sistemlerinde kullanılır. 231W maksimum güç dağıtım kapasitesi ile yüksek akımı kontrol gerektiren endüstriyel ve tüketici elektroniği uygulamalarına uygun bir bileşendir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 120A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 151 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 9815 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 231W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.1mOhm @ 75A, 10V |
| Supplier Device Package | D²PAK (TO-263) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok