Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FDB0260N1007L
MOSFET N-CH 100V 200A TO263-7
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-263-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FDB0260N1007L
FDB0260N1007L Hakkında
FDB0260N1007L, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 100V Vdss ve 200A sürekli dren akımı kapasitesi ile yüksek akım uygulamalarına uygun olarak tasarlanmıştır. TO-263-7 (D²Pak) paketinde sunulan bu bileşen, düşük on-resistance (Rds On: 2.6mΩ @ 27A, 10V) sayesinde enerji kaybını en aza indirir. -55°C ile 175°C arasında çalışabilir. Motor kontrol, güç kaynakları, anahtarlama devreleri ve endüstriyel uygulamalarda yaygın olarak kullanılır. 10V sürüş voltajında optimize edilmiş tasarım, hızlı açılma/kapanma performansı ve düşük kapasitans değerleri (Ciss: 8545 pF @ 50V) ile sinyal bütünlüğünü korur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 200A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 118 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 8545 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab) |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 3.8W (Ta), 250W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.6mOhm @ 27A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-263-7 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok