Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FDB0250N807L
MOSFET N-CH 80V 240A TO263-7
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-263-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FDB0250N807L
FDB0250N807L Hakkında
FDB0250N807L, Rochester Electronics tarafından üretilen yüksek akım kapasiteli N-Channel MOSFET transistörüdür. 80V Drain-Source voltaj derecesine ve 240A sürekli drenaj akımına sahiptir. TO-263-7 (D²Pak) paketinde sunulan bu bileşen, 2.2mOhm maksimum RDS(on) değeri ile düşük ısıl dirençli uygulamalar için tasarlanmıştır. Geniş çalışma sıcaklığı aralığı (-55°C ~ 150°C), yüksek güç dağılımı kapasitesi (214W @ Tc) ve hızlı anahtarlama özellikleri ile güç dönüştürme, motor sürücü devreleri, enerji yönetimi ve endüstriyel kontrol uygulamalarında yaygın olarak kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 240A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 80 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 8V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 200 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 15400 pF @ 40 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab) |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 3.8W (Ta), 214W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.2mOhm @ 30A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-263-7 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok