Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FDB024N06
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FDB024N06
FDB024N06 Hakkında
FDB024N06, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET transistördür. 60V drain-source voltajı ve 120A sürekli drain akımı ile yüksek akım uygulamalarında kullanılır. 2.4mΩ on-state direnci sayesinde düşük güç kaybı sağlar. TO-263-3 (D²Pak) yüzey montajlı pakette sunulur. Anahtarlama uygulamaları, motor kontrol devrelerinde, güç kaynakları ve inverter tasarımlarında yaygın olarak tercih edilir. -55°C ile 175°C arasında güvenli çalışma sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 120A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 226 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 14885 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 395W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.4mOhm @ 75A, 10V |
| Supplier Device Package | D²PAK (TO-263) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok