Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FDB024N04AL7
MOSFET N-CH 40V 100A TO263-7
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-263-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FDB024N04AL7
FDB024N04AL7 Hakkında
FDB024N04AL7, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 40V drain-source voltajında 100A sürekli drenaj akımı ile çalışan bu bileşen, düşük on-state direnci (RDS(on) = 2.4mΩ @ 80A, 10V) sayesinde enerji verimliliği gerektiren uygulamalarda kullanılır. TO-263-7 (D²Pak) paketinde sunulan FDB024N04AL7, güç yönetimi, motor sürücüleri, güç kaynakları ve AC/DC dönüştürücülerde yaygın olarak uygulanmaktadır. -55°C ile 175°C arasında çalışan bileşen, yüksek güç dağılımı uygulamaları (214W maksimum) için tasarlanmıştır. Gate charge değeri 109nC olup, hızlı anahtarlama karakteristiği sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 100A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 109 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 7300 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab) |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 214W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.4mOhm @ 80A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-263-7 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok