Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FDB016N04AL7
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-263-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FDB016N04AL7
FDB016N04AL7 Hakkında
FDB016N04AL7, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET transistördür. 40V drain-source voltajında 160A sürekli drain akımı sağlayabilen bu bileşen, düşük RDS(on) değeri (1.6mΩ @ 80A, 10V) ile enerji verimliliği açısından optimize edilmiştir. TO-263-7 (D²Pak) yüzey montajı pakajında sunulan bu transistör, motor sürücüleri, güç dönüştürücüleri, anahtarlama uygulamaları ve batarya yönetim sistemlerinde kullanılır. -55°C ile 175°C arasındaki geniş çalışma sıcaklık aralığında ve 283W maksimum güç disipasyonu kapasitesiyle endüstriyel ve otomotiv uygulamalarına uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 160A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 167 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 11600 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab) |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 283W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.6mOhm @ 80A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-263-7 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok