Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FDB0165N807L
MOSFET N-CH 80V 310A TO263-7
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-263-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FDB0165N807L
FDB0165N807L Hakkında
FDB0165N807L, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 80V drain-source gerilimi ve 310A sürekli drenaj akımı ile yüksek akım uygulamalarında kullanılır. TO-263-7 (D²Pak) paketinde sunulan bu bileşen, 1.6mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kayıpları sağlar. -55°C ile +175°C arasında çalışabilir. Güç kaynakları, motor sürücüleri, anahtarlama devreleri ve enerji dönüştürme uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. 10V gate sürüş voltajında çalışır ve 300W'a kadar güç dağıtabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 310A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 80 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 304 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 23660 pF @ 40 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab) |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 3.8W (Ta), 300W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.6mOhm @ 36A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-263-7 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok