Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

FDB0105N407L

MOSFET N-CH 40V 460A TO263-7

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-263-8
Seri / Aile Numarası
FDB0105N407L

FDB0105N407L Hakkında

FDB0105N407L, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 40V drain-source gerilimi ve 460A sürekli drain akımı kapasitesi ile güç uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 0.8mOhm maksimum on-state direnci sayesinde düşük güç kaybı sağlar. TO-263-7 (D²Pak) paketlemesiyle yüksek akım uygulamalarında verimli ısı yönetimi sunar. Motor kontrolü, güç kaynakları, DC-DC dönüştürücüler ve endüstriyel anahtarlama devreleri gibi uygulamalarda kullanılır. -55°C ile 175°C arasında çalışabilir ve 300W güç dissipasyonuna kadar dayanabilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 460A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 40 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 291 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 23100 pF @ 20 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 3.8W (Ta), 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 0.8mOhm @ 50A, 10V
Supplier Device Package TO-263-7
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok