Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FDAF75N28
MOSFET N-CH 280V 46A TO3PF
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-3P-3 Full Pack
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FDAF75N
FDAF75N28 Hakkında
FDAF75N28, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 280V Drain-Source gerilimi ve 46A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile güç uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. TO-3P-3 paketinde sunulan bu bileşen, yüksek gerilim anahtarlama devrelerinde, motor sürücü uygulamalarında ve endüstriyel güç elektronik sistemlerinde yer almaktadır. 10V Gate sürücü geriliminde 41mΩ maksimum RDS(on) değeri ile verimli çalışma sağlar. -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığına sahip olup, 215W maksimum güç dağılımı kapasitesiyle tasarlanmıştır. Bileşen üretimi sonlandırılmış (Obsolete) olup, yedek tedarik için stok kontrol gerekebilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 46A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 280 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 144 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 6700 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-3P-3 Full Pack |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 215W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 41mOhm @ 23A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-3PF |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok