Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FDAF69N25
MOSFET N-CH 250V 34A TO3PF
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-3P-3 Full Pack
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FDAF69N25
FDAF69N25 Hakkında
FDAF69N25, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 250V drain-source gerilimi (Vdss) ve 34A sürekli drain akımı (Id) kapasitesi ile güç uygulamalarında kullanılır. TO-3P-3 paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama ve amplifikasyon devrelerinde, özellikle yüksek gerilim ve yüksek akım gerektiren endüstriyel ve tüketici elektroniği uygulamalarında yer alır. 41mΩ maksimum RDS(On) değeri ile verimli enerji yönetimi sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında 115W güç dağıtabilme kapasitesine sahiptir. Kaynak için Through Hole montaj türü kullanılır. Not: Bu ürün obsolete (üretimi sonlandırılmış) durumdadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 34A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 250 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 100 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4640 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-3P-3 Full Pack |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 115W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 41mOhm @ 17A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-3PF |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok