Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FDAF62N28
MOSFET N-CH 280V 36A TO3PF
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-3P-3 Full Pack
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FDAF62N
FDAF62N28 Hakkında
FDAF62N28, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 280V drain-source voltajında 36A sürekli akım kapasitesine sahip olan bu bileşen, yüksek güç uygulamalarında anahtarlama işlevini yerine getirir. TO-3PF paketinde sunulan ve through-hole montajı destekleyen transistör, endüstriyel güç dönüştürme devreleri, motor kontrolü ve elektrik yönetim sistemlerinde kullanılır. Maximum 165W güç tüketebilen ve -55°C ile 150°C arasında çalışabilen FDAF62N28, 10V kapı geriliminde 51mΩ on-state direnci ile verimli anahtarlama sağlar. Gate charge karakteristiği 100nC (10V'da) olup, 4630pF input kapasitansına sahiptir. Ürün obsolete durumdadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 36A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 280 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 100 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4630 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-3P-3 Full Pack |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 165W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 51mOhm @ 18A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-3PF |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok