Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FDAF59N30
MOSFET N-CH 300V 34A TO3PF
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-3P-3 Full Pack
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FDAF59N30
FDAF59N30 Hakkında
FDAF59N30, onsemi tarafından üretilen 300V 34A kapasiteli N-Channel MOSFET transistördür. TO-3P-3 paketinde sunulan bu bileşen, yüksek voltaj anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 56mOhm maksimum RDS(on) değeri ile verimli güç yönetimi sağlar. Güç kaynakları, invertörler, motor sürücüleri ve endüstriyel anahtarlama devreleri gibi uygulamalarda yaygın olarak kullanılmıştır. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir ve 161W maksimum güç dağılımına dayanır. Gate Charge değeri 100nC olup, hızlı anahtarlama performansı sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 34A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 300 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 100 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4670 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-3P-3 Full Pack |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 161W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 56mOhm @ 17A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-3PF |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok