Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FDAF59N30
MOSFET N-CH 300V 34A TO3PF
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-3P-3 Full Pack
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FDAF59N30
FDAF59N30 Hakkında
FDAF59N30, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 300V drain-source gerilim, 34A sürekli dren akımı kapasitesi ile yüksek güç uygulamalarında kullanılır. 56mOhm maksimum on-state direnci (RDS On) ile verimli enerji transferi sağlar. TO-3P-3 Full Pack paketinde sunulan bu bileşen, endüstriyel güç dönüştürme, motor sürücüleri ve anahtarlama devreleri gibi uygulamalarda tercih edilir. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığına sahip olup, 161W maksimum güç dağıtma kapasitesiyle tasarlanmıştır. 10V drive voltajında kontrollenebilen bu MOSFET, yüksek frekanslı anahtarlama uygulamaları için uygun özelliklere sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 34A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 300 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 100 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4670 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-3P-3 Full Pack |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 161W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 56mOhm @ 17A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-3PF |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok