Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FDA70N20
MOSFET N-CH 200V 70A TO3PN
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-3P-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FDA70N20
FDA70N20 Hakkında
FDA70N20, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 200V drain-source gerilimi ve 70A sürekli drain akımı kapasitesine sahip bu bileşen, güç elektronikleri uygulamalarında anahtarlama işlevini yerine getirir. TO-3P-3 (SC-65-3) paketinde sunulan FDA70N20, 35mOhm maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. -55°C ile +150°C arasında çalışabilir ve 417W güç yayabilir. Endüstriyel sürücü devreler, DC-DC konvertörler, motor kontrol uygulamaları ve güç kaynakları gibi yüksek güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. Through-hole montajı destekleyen bu MOSFET, 10V sürücü geriliminde optimize edilmiştir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 70A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 86 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3970 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-3P-3, SC-65-3 |
| Part Status | Last Time Buy |
| Power Dissipation (Max) | 417W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 35mOhm @ 35A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-3PN |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok