Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FDA69N25
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 6
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-3P-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FDA69N25
FDA69N25 Hakkında
FDA69N25, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET transistördür. 69A sürekli dren akımı, 250V dren-kaynak gerilimi ve 41mOhm maksimum RDS(on) değeriyle yüksek güç uygulamalarında kullanılır. TO-3P-3 (SC-65-3) kapsüllemesiyle sağlanan bu bileşen, -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığına sahiptir. 480W maksimum güç disipasyonu kapasitesiyle motor kontrol, güç yönetimi, anahtarlama uygulamaları ve endüstriyel elektronik sistemlerinde tercih edilir. 10V sürücü gerilimi ve 100nC maksimum gate charge karakteristiği hızlı anahtarlama performansı sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 69A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 250 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 100 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4640 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-3P-3, SC-65-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 480W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 41mOhm @ 34.5A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-3PN |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok