Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FDA62N28
MOSFET N-CH 280V 62A TO3PN
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-3P-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FDA62N28
FDA62N28 Hakkında
FDA62N28, Rochester Electronics tarafından üretilen N-kanal MOSFET transistördür. 280V drain-source gerilimi ve 62A sürekli drain akımı ile yüksek güç uygulamalarında kullanılır. TO-3P-3 paketi ile through-hole montajına uygun olup, 500W maksimum güç dağılımı kapasitesine sahiptir. 51mOhm maksimum RDS(on) değeri ile verimli anahtarlama sağlar. Güç kaynakları, motor kontrol, inverter ve ağır yük anahtarlama devrelerinde uygulanır. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sunar. Gate charge değeri 100nC olup hızlı komütasyon gerektiren devrelerde tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 62A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 280 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 100 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4630 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-3P-3, SC-65-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 500W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 51mOhm @ 31A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-3PN |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok