Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FDA59N25
MOSFET N-CH 250V 59A TO3PN
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-3P-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FDA59N25
FDA59N25 Hakkında
FDA59N25, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 250V drain-source gerilimi ve 59A sürekli dren akımı kapasitesiyle güç uygulamalarında kullanılır. TO-3P-3 paketinde sunulan bu bileşen, 49mOhm maksimum RDS(on) değeriyle verimli anahtarlama işlemleri gerçekleştirir. -55°C ile +150°C arasında çalışabilmesi, endüstriyel ve otomotiv uygulamalarında tercih edilmesini sağlar. 392W maksimum güç dağıtma kapasitesi ile motor kontrol, güç kaynakları ve elektrik arayüzü uygulamalarında yaygın olarak kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 59A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 250 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 82 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4020 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-3P-3, SC-65-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 392W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 49mOhm @ 29.5A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-3PN |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok