Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FDA38N30
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-3P-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FDA38N30
FDA38N30 Hakkında
FDA38N30, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET transistördür. 300V Drain-Source gerilim (Vdss) ve 38A sürekli dren akımı (Id) kapasitesi ile yüksek güç uygulamalarında kullanılır. 10V gate sürüş geriliminde 85mΩ maksimum Rds(on) değerine sahiptir. TO-3P-3 / SC-65-3 paketinde sunulan bu bileşen, switching regülatörleri, motor sürücüleri, DC-DC konvertörleri ve güç denetim devrelerinde yaygın olarak kullanılmaktadır. -55°C ile 150°C arasında çalışır ve 312W maksimum güç yayınımı kapasitesi vardır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 38A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 300 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 60 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2600 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-3P-3, SC-65-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 312W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 85mOhm @ 19A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-3PN |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok