Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FDA38N30
MOSFET N-CH 300V 38A TO3PN
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-3P-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FDA38N30
FDA38N30 Hakkında
FDA38N30, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 300V drain-source voltaj ve 38A sürekli dren akımı kapasitesine sahip bu bileşen, güç elektronikleri uygulamalarında anahtarlama görevlerinde kullanılır. TO-3P-3 paketlemesi ile yüksek güç uygulamaları için tasarlanmıştır. 85mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen bu transistör, endüstriyel inverterler, motor kontrol devreleri, güç kaynakları ve enerji dönüştürme sistemlerinde yaygın olarak kullanılır. 312W maksimum güç tüketimi ve düşük kapasitans özellikleri ile hızlı anahtarlama uygulamalarına uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 38A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 300 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 60 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2600 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-3P-3, SC-65-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 312W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 85mOhm @ 19A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-3PN |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok