Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FDA28N50F
MOSFET N-CH 500V 28A TO3PN
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-3P-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FDA28N50F
FDA28N50F Hakkında
FDA28N50F, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 500V drain-source gerilimi ve 28A sürekli drain akımı ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılır. 175mΩ maksimum Rds(on) değeri ile verimli anahtarlama sağlar. TO-3P-3 paketine sahip bu transistör, güç kaynakları, motor kontrol devreleri, UPS sistemleri ve endüstriyel anahtarlanmış güç kaynakları gibi uygulamalarda tercih edilir. -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında 310W güç dağılımına dayanabilir. 10V kapı gerilimi ile tam açılma sağlar ve ±30V maksimum kapı-source gerilimini tolere eder.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 28A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 500 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 105 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 5387 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-3P-3, SC-65-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 310W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 175mOhm @ 14A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-3PN |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok