Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FDA18N50
MOSFET N-CH 500V 19A TO3PN
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-3P-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FDA18N50
FDA18N50 Hakkında
FDA18N50, onsemi tarafından üretilen N-kanallı MOSFET transistördür. 500V drain-source gerilim (Vdss) ve 19A sürekli drain akımı (Id) kapasitesine sahip bu bileşen, yüksek gerilim uygulamalarında anahtarlama görevi görmektedir. TO-3P-3 paketinde sunulan transistör, 10V gate sürücü geriliminde 265mOhm maksimum on-state direnci (Rds On) ile çalışır. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen bu MOSFET, enerji dönüştürme devreleri, motor kontrol, güç kaynakları ve endüstriyel anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 239W maksimum güç tüketimi ve 60nC gate charge değerleri ile tasarımlanmıştır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 19A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 500 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 60 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2860 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-3P-3, SC-65-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 239W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 265mOhm @ 9.5A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-3PN |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok