Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FDA16N50-F109
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-3P-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FDA16N50
FDA16N50-F109 Hakkında
FDA16N50-F109, Rochester Electronics tarafından üretilen 500V N-Channel Power MOSFET transistördür. 16.5A sürekli dren akımı kapasitesine sahip bu komponentin maksimum güç dağılımı 205W'tır. TO-3P-3 paketlemesiyle gelen transistör, 10V kapı sürüş voltajında 380mΩ maksimum kanal direnci ile karakterize edilir. -55°C ile 150°C arasında çalışan bu FET, yüksek voltaj uygulamalarında, indüktif yükler, motor kontrol devreleri, anahtarlama güç kaynakları ve SMPS tasarımlarında kullanılır. 45nC gate charge değeri ile hızlı anahtarlama özelliği sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 16.5A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 500 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 45 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1945 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-3P-3, SC-65-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 205W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 380mOhm @ 8.3A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-3PN |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok