Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FDA16N50
MOSFET N-CH 500V 16.5A TO3PN
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-3P-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FDA16N50
FDA16N50 Hakkında
FDA16N50, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 500V drain-source gerilimi ve 16.5A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. TO-3P pakette sunulan bu bileşen, 380mOhm maksimum RDS(on) değerine sahip olup, -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. 205W güç disipasyonu kapasitesi ile endüstriyel anahtarlama devreleri, güç yönetimi uygulamaları ve yüksek voltaj motor kontrol sistemlerinde kullanıma uygundur. Eski bir bileşen olması nedeniyle mevcut tasarımlarda alternatif seçenekler değerlendirilmelidir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 16.5A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 500 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 45 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1945 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-3P-3, SC-65-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 205W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 380mOhm @ 8.3A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-3PN |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok