Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FDA032N08
MOSFET N-CH 75V 120A TO3PN
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-3P-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FDA032N08
FDA032N08 Hakkında
FDA032N08, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 75V drain-source gerilimi ve 120A sürekli drain akımı ile yüksek güç uygulamalarında kullanılır. 3.2mOhm maksimum on-state direnci (Rds On) düşük güç kaybı sağlar. TO-3P-3 (SC-65-3) paketinde sunulan bu komponent, güç amplifikatörleri, motor sürücüleri, anahtarlama kaynakları ve yüksek akımlı switch uygulamalarında tercih edilir. -55°C ile 175°C arasında çalışabilir ve maksimum 375W güç dağıtabilir. 10V gate sürüş gerilimi ile kolay kontrol edilebilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 120A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 75 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 220 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 15160 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-3P-3, SC-65-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 375W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.2mOhm @ 75A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-3PN |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok