Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FCU850N80Z
MOSFET N-CH 800V 6A IPAK
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- IPAK
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FCU850N80Z
FCU850N80Z Hakkında
FCU850N80Z, onsemi tarafından üretilen N-channel MOSFET transistördür. 800V drain-source voltaj ve 6A sürekli drain akımı kapasitesi ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. TO-251 (I-PAK) kapsüllemesinde sunulan bu transistör, 10V kapı sürücü voltajında 850mΩ maksimum on-resistance değerine sahiptir. Gate charge değeri 29nC (@10V) olup, hızlı anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. -55°C ile +150°C arasında çalışır ve 75W maksimum güç saçabilir. Enerji dönüştürme, güç kaynakları, endüstri uygulamalarında ve anahtarlama devrelerinde yaygın olarak kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 6A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 800 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 29 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1315 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 75W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 850mOhm @ 3A, 10V |
| Supplier Device Package | I-PAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 600µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok