Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

FCU7N60TU

MOSFET N-CH 600V 7A IPAK

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
IPAK
Seri / Aile Numarası
FCU7N60TU

FCU7N60TU Hakkında

FCU7N60TU, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 600V drain-source gerilimi ve 7A sürekli dren akımı kapasitesi ile yüksek gerilim uygulamalarında kullanılır. 83W maksimum güç dağılımı özelliğine sahiptir. TO-251-3 (IPak) paketinde sunulan bu bileşen, 10mOhm on-state direnç değeri ile switching ve güç yönetimi devrelerinde yer alır. Geniş çalışma sıcaklık aralığı (-55°C ~ 150°C) sayesinde endüstriyel uygulamalarda tercih edilir. Kapı gerilimi ±30V'ye kadar dayanıklı tasarımı, çeşitli kontrol devrelerinde kullanılmaya uygun kılar. Through-hole montajı ile geleneksel PCB tasarımlarında uygulanabilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 7A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 920 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 83W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 600mOhm @ 3.5A, 10V
Supplier Device Package I-PAK
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok