Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

FCU7N60TU

MOSFET N-CH 600V 7A IPAK

Paket/Kılıf
IPAK
Seri / Aile Numarası
FCU7N60TU

FCU7N60TU Hakkında

FCU7N60TU, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 600V drain-source gerilimi ve 7A sürekli drain akımı ile yüksek voltaj anahtarlama uygulamalarında kullanılır. TO-251 (IPAK) paketinde sunulan bu bileşen, 83W maksimum güç dağılımı kapasitesine sahiptir. 10V gate geriliminde 600mΩ RDS(on) değeri ile verimli anahtarlama sağlar. Güç kaynakları, motor kontrol devreleri, DC-DC dönüştürücüler ve güç yönetimi uygulamalarında tercih edilir. -55°C ile +150°C arasında çalışabilir. Obsolete durumda olup, arşiv ve onarım projeleri için kullanılabilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 7A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 920 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 83W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 600mOhm @ 3.5A, 10V
Supplier Device Package I-PAK
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok