Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

FCU5N60TU

MOSFET N-CH 600V 4.6A I-PAK

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
IPAK
Seri / Aile Numarası
FCU5N60TU

FCU5N60TU Hakkında

FCU5N60TU, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 600V drain-source gerilimi ve 4.6A sürekli drain akımı ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılan bir güç transistörüdür. 10V gate sürüş geriliminde 950mOhm maksimum on-resistance değerine sahiptir. TO-251-3 (I-PAK) paketinde sunulan bu bileşen, -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. Anahtarlama uygulamaları, güç dönüştürme devreleri, motor kontrol sistemleri ve yüksek voltaj anahtarlama çevrelerinde yaygın olarak kullanılır. 16nC maksimum gate charge değeri hızlı anahtarlama işlemlerine imkan tanır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 4.6A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 600 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Part Status Not For New Designs
Power Dissipation (Max) 54W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 950mOhm @ 2.3A, 10V
Supplier Device Package I-PAK
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok