Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FCU4300N80Z
MOSFET N-CH 800V 1.6A IPAK
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- IPAK
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FCU4300N80Z
FCU4300N80Z Hakkında
FCU4300N80Z, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 800V drain-source gerilimi ve 1.6A sürekli drain akımı ile yüksek gerilim uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. TO-251-3 (IPAK) paketinde sunulan bu bileşen, 4.3Ω maksimum RDS(on) değeri ile düşük kaçak akımı sağlar. Gate eşik gerilimi 4.5V olup, ±20V maksimum gate-source gerilimini tolere edebilir. 27.8W maksimum güç tüketimi ile enerji dönüşüm, motor kontrolü, açma-kapama uygulamaları ve güç yönetimi devrelerinde kullanılır. -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1.6A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 800 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 8.8 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 355 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 27.8W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.3Ohm @ 800mA, 10V |
| Supplier Device Package | I-PAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 160µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok