Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

FCU4300N80Z

MOSFET N-CH 800V 1.6A I-PAK

Paket/Kılıf
IPAK
Seri / Aile Numarası
FCU4300N80Z

FCU4300N80Z Hakkında

FCU4300N80Z, Rochester Electronics tarafından üretilen 800V dayanımlı N-Channel MOSFET transistördür. TO-251-3 (I-PAK) paketinde sunulan bu bileşen, 1.6A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahiptir. 4.3Ω maksimum RDS(on) değeri ile düşük açık direnç sağlar. ±20V kapı-kaynak gerilimi aralığında çalışır ve 4.5V eşik gerilimi ile hızlı komütasyon kabiliyeti sunar. -55°C ile 150°C arasındaki geniş çalışma sıcaklığı aralığında 27.8W güç dağıtabilir. Yüksek voltaj uygulamalarında anahtar, güç yönetimi devreleri ve motor kontrol sistemlerinde tercih edilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 1.6A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 800 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 8.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 355 pF @ 100 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 27.8W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.3Ohm @ 800mA, 10V
Supplier Device Package I-PAK
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 160µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok