Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FCU3400N80Z
MOSFET N-CH 800V 2A I-PAK
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- IPAK
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FCU3400N80Z
FCU3400N80Z Hakkında
FCU3400N80Z, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 800V drain-source gerilimi ve 2A sürekli dren akımı kapasitesi ile yüksek gerilim uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. TO-251-3 (I-PAK) through-hole paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama devreleri, güç yönetimi uygulamaları ve DC-DC dönüştürücülerinde yaygın olarak kullanılır. 3.4Ω Rds(on) değeri ile enerji kaybını minimize eder. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklık aralığı geniş uygulama yelpazesini destekler. 9.6nC gate charge ve 400pF input capacitance özellikleri hızlı anahtarlama performansı sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 800 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 9.6 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 400 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 32W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.4Ohm @ 1A, 10V |
| Supplier Device Package | I-PAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 200µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok