Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FCU2250N80Z
MOSFET N-CH 800V 2.6A I-PAK
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- IPAK
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FCU2250N80Z
FCU2250N80Z Hakkında
FCU2250N80Z, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 800V drain-source gerilimi ve 2.6A sürekli dren akımı kapasitesi ile güç anahtarlama uygulamalarında kullanılmak için tasarlanmıştır. 2.25Ohm maksimum RDS(on) değeri ve TO-251-3 (I-PAK) paketleme ile kompakt devre tasarımlarına uygun bir komponenttir. Yüksek gerilim endüstriyel uygulamaları, anahtarlamalı güç kaynakları, motor kontrol devreleri ve benzer anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen geniş sıcaklık aralığı ve 39W maksimum güç dağılımı ile güvenilir performans sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2.6A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 800 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 14 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 585 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 39W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.25Ohm @ 1.3A, 10V |
| Supplier Device Package | I-PAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 260µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok